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本發(fā)明屬于分析檢測，涉及一種ndir氣體傳感器，尤其涉及一種ndir氣體傳感器微氣室的制造方法及ndir檢測系統(tǒng)。、ndir氣體傳感器是一種基于氣體分子對特定波長紅外光的吸收特性所研制的傳感器。相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體和電化學(xué)氣體傳感器，ndir傳感器的優(yōu)勢在于其對環(huán)境中其他氣體的干擾較小、選擇性...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種縮小mems器件關(guān)鍵尺寸的工藝方法。、在mems器件加工時，有時會需要形成間距較小的重復(fù)圖形陣列，例如微透鏡/微反射鏡陣列等。但現(xiàn)有的很多mems工藝線不具備較小cd(關(guān)鍵尺寸，通常是曝光機(jī)的最小分辨率)的光刻工藝能力。對光學(xué)器件來說，更小的圖形間距可以達(dá)到更...

本發(fā)明涉及觸覺反饋裝置，特別涉及一種用于觸覺反饋的hasel軟體致動器制備方法及致動器。、近年來，人機(jī)界面作為用戶與系統(tǒng)之間的溝通窗口，在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、機(jī)器人遙操作和假肢控制等應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。在智能化時代背景下，傳統(tǒng)的以“手、眼”為主導(dǎo)的交互方式已無法滿足用戶對直觀性和具象化...

本技術(shù)涉及微機(jī)電傳感器，特別涉及一種微差壓芯片、晶圓結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。、微差壓芯片是一種集成了微型機(jī)械裝置和電子元件的半導(dǎo)體芯片，它借助微納加工技術(shù)制造出微米級別的機(jī)械結(jié)構(gòu)，使得芯片具備了感知、操控和控制微小物體的功能。、現(xiàn)有的微差壓芯片在制作過程中，通常在振膜的一側(cè)表面制作支撐結(jié)構(gòu)，再在支...

本發(fā)明涉及微機(jī)電，更為具體地，涉及一種三層板產(chǎn)品的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。、隨著智能電子產(chǎn)品(例如手機(jī)、相機(jī)、腕式手機(jī)等)的發(fā)展，人們對于電子產(chǎn)品的集成度有了更高的要求，要求在更小的體積內(nèi)完成更多的功能，基于此，微機(jī)電技術(shù)應(yīng)用而生，微機(jī)電技術(shù)的不斷發(fā)展，為電子產(chǎn)品不斷向小型化、集成化方向發(fā)展提供實(shí)現(xiàn)條件...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種非制冷型紅外探測像元結(jié)構(gòu)的制造方法及其結(jié)構(gòu)。、非制冷紅外探測器由幾萬至幾百萬個像元組成，其中非制冷型紅外探測像元結(jié)構(gòu)是通過mems技術(shù)制作形成橋結(jié)構(gòu)，橋面由吸收紅外輻射能量的吸收層及對紅光敏感的熱敏電阻層組成，橋墩和橋臂起支撐和電連接的功能。對于非制冷型紅...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制造方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域，其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境，并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。其中，相比于壓阻式壓力傳感器，電容式...

一種薄壁圓柱筒形微零件的內(nèi)壁夾持裝置和方法本發(fā)明涉及精密裝配，尤其是一種基于力/位混合控制的薄壁圓柱筒形微零件內(nèi)壁夾持裝置和方法。精密裝配領(lǐng)域中存在一類薄壁圓柱筒形零件，裝配時零件外壁需要和其它零件接觸，因此需要夾持裝置從內(nèi)壁夾持零件。零件裝配完成后，夾持裝置應(yīng)該能從零件中...

微零件裝配系統(tǒng)及相應(yīng)的在線裝配方法本發(fā)明屬于微裝配和微操作，尤其是一種微零件裝配系統(tǒng)及相應(yīng)的在線裝配方法，適用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)微零件的裝配。微裝配與微操作是指對微小器件的裝配和對細(xì)胞與生物組織的操作。微裝配技術(shù)廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、臨床醫(yī)學(xué)、工業(yè)等各個領(lǐng)域。國內(nèi)外在微裝配方面的研究...

電調(diào)制MEMS紅外光源及其制備方法本發(fā)明涉及紅外，特別涉及一種電調(diào)制微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）紅外光源及其制備方法。紅外傳感技術(shù)為二十一世紀(jì)技術(shù)研究的一個重要領(lǐng)域，目前，紅外傳感技術(shù)已在污染監(jiān)測檢測、溫度監(jiān)控、空間監(jiān)視、高分辨率成像、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。而且，由于紅外氣...

一種一維納米線陣列結(jié)構(gòu)聚偏氟乙烯的制備方法本發(fā)明屬于微納制造，涉及一種一維納米線陣列結(jié)構(gòu)聚偏氟乙烯的制備方法。近年來，由于一維納米線陣列結(jié)構(gòu)相對于薄膜在光電子器件、傳感器、俘能器方面具有優(yōu)異的應(yīng)用潛能而成為研究熱點(diǎn)。制備一維納米線陣列有兩種方法：“自上而下”法和“自下而上”...

本發(fā)明涉及微機(jī)電裝置的控制，具體地，是一種單路信號控制的微機(jī)電裝置以及這種微機(jī)電裝置的控制方法。、光學(xué)器件中廣泛使用微機(jī)電裝置(micro?electro?mechanical?system，mems)，目前常用的微機(jī)電裝置大多是靜電驅(qū)動的微機(jī)電裝置，這種微機(jī)電裝置設(shè)置有上梳齒和下梳齒，且...

本發(fā)明涉及一種封裝方法，尤其是一種mems電場傳感器的批量封裝方法及封裝設(shè)備。、mems電場傳感器主要應(yīng)用于國防、航空、航天、氣象、石油化工、靜電等領(lǐng)域，并在上述領(lǐng)域均是發(fā)揮了及其重要的作用。、mems電場傳感器的封裝工藝是影響mems電場傳感器實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)，近年來倍受關(guān)注。在現(xiàn)有的封...

本發(fā)明涉及傳感器，尤其涉及一種基于tgv技術(shù)的mems傳感器及其封裝方法。、mems(micro-electro-mechanical?systems，微型電子機(jī)械系統(tǒng))傳感器是基于微機(jī)電系統(tǒng)工藝集成化制造的傳感器，其具有靈敏度高、準(zhǔn)確度高、體積小、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)...

本發(fā)明涉及一種采用微流道散熱的埋入式功率模塊封裝方法。、隨著電子設(shè)備對功率密度和小型化的需求不斷增加，埋入式這種小型化的先進(jìn)封裝形式正逐漸取代傳統(tǒng)封裝形式。但小型化帶來的高散熱需求目前并沒有被解決。傳統(tǒng)功率模塊與散熱器分離，并且散熱器與模塊之間的導(dǎo)熱硅脂嚴(yán)重妨礙了熱量的散出。本發(fā)明提供了一...

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種mems器件及其形成方法、以及電子設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanical?system)是以微電子、微機(jī)械及材料科學(xué)為基礎(chǔ)，研究、設(shè)計、制造、具有特定功能的微型裝置。微機(jī)電系統(tǒng)是多種學(xué)科交叉融合具有戰(zhàn)略意義...

本發(fā)明涉及氣體傳感器，具體涉及一種大尺寸mems微熱板及其制備方法和應(yīng)用。、氣體檢測在工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療監(jiān)測、大氣污染防治、密閉空間空氣質(zhì)量檢測、燃油車尾氣檢測以及新能源汽車安全防護(hù)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。隨著科技的不斷進(jìn)步，氣體傳感器正朝著小型化、智能化、低功耗化的方向發(fā)展。其中，mems(微機(jī)電系...

本發(fā)明涉及一種用于對生物樣品的靶核酸鏈進(jìn)行測序的支持物。此外，本發(fā)明涉及一種包括多個支持物的支持網(wǎng)絡(luò)以及一種用于對靶核酸鏈進(jìn)行測序的方法。、下一代測序（ngs）是指幾種高通量dna測序方法，這些方法對生命科學(xué)的進(jìn)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。在由illumina開發(fā)的第一種ngs技術(shù)出現(xiàn)之前，dna測...

本發(fā)明涉及緊湊型電子器件的散熱設(shè)備，尤其涉及一種mems芯片散熱器。、緊湊型移動設(shè)備迫切需要更高效的冷卻系統(tǒng)，例如g連接，空間計算，高分辨率視頻和游戲，人工智能的邊緣應(yīng)用等，使得像智能手機(jī)等對體積和質(zhì)量敏感的設(shè)備，其散熱能力成為制約性能的主要瓶頸。、傳統(tǒng)的散熱風(fēng)扇雖然具有較好的散熱效果，但...

本發(fā)明屬于一種利用polyimide(pi)為柔性基底的納米斷裂結(jié)自愈合實(shí)現(xiàn)方法，涉及有機(jī)材料、、半導(dǎo)體、芯片集成電路、金屬自愈合研究等諸多領(lǐng)域。、隨著硅基芯片尺寸的小型化發(fā)展，其內(nèi)部集成電路線寬已達(dá)到百納米級別。在此情況下，由于各種因素比如芯片強(qiáng)制形變的機(jī)械力、電路過高電流引起的熱效應(yīng)、...